三星是主要的存储芯片制造商，今天，该公司宣布已经开始批量生产其最新的 NAND 芯片——具有 1 Terabit 存储（125GB）的 QLC 第 9 代 V-NAND。
今年 4 月，三星成为首家量产采用 TLC（三层单元）技术的第九代 V-NAND 的公司。现在，他们正在将其升级为四层单元 (QLC) 解决方案，允许每个单元存储 4 位，从而实现存储密度更高的物理芯片。
这使得数据写入速度提高了一倍，并且读取和写入数据的功耗分别降低了 30％ 和 50％。
三星执行副总裁兼闪存产品与技术主管 SungHoi Hur 表示，此次量产恰逢其时，有助于三星满足人工智能时代对先进 SSD 解决方案的需求。
推动QLC V-NAND实现的技术突破之一是通道孔蚀刻。三星通过双层堆栈结构实现了更高的层数，单元面积和外围电路也得到了优化，与上一代相比，密度提高了86％。
三星采用了设计模具技术，实现了跨层和层内单元特性的均匀性和优化。因此，数据保留性能提高了 20%，从而提高了产品可靠性。
数据读写时的功耗也有所改善，新解决方案通过减少芯片上不必要操作的技术，使写入性能提高了一倍。
QLC V-NAND芯片一般用于SSD，后续会延伸到PC、云服务的服务器SSD，以及多用于智能手机的通用闪存存储。
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